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제너 다이오드

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VMZT6.8NT2L

DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 150mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-723 / 공급 장치 패키지 : VMD3

단위 8000

VMZT6.8NT2L

DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 150mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-723 / 공급 장치 패키지 : VMD3

VMZ6.8NT2L

DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 150mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-723 / 공급 장치 패키지 : VMD3

단위 8000

VMZ6.8NT2L

DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 150mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-723 / 공급 장치 패키지 : VMD3

VMNZ6.8CST2RA

DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMND2

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : / 계열 : / 구성 : / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :

UMZ8.2TT106

DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 음극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 8.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ8.2TT106

DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 음극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 8.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ8.2NT106

DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 8.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ6.8NT106

DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ6.8NT106

DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ6.8ENTR

DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD5

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : UMD5

단위 3000

UMZ6.8ENTR

DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD5

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : UMD5

UMZ5.1NT106

DIODE ZENER ARRAY 5.1V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 2µA @ 1.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ5.1NT106

DIODE ZENER ARRAY 5.1V UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 2µA @ 1.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ36NT106

DIODE ZENER ARRAY 36V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 36V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ36NT106

DIODE ZENER ARRAY 36V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 36V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ27NT106

DIODE ZENER ARRAY 27V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 27V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 21V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ27NT106

DIODE ZENER ARRAY 27V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 27V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 21V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ18NT106

DIODE ZENER ARRAY 18V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 18V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 13V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ18NT106

DIODE ZENER ARRAY 18V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 18V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 13V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ16NT106

DIODE ZENER ARRAY 16V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 16V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 50옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 12V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ16NT106

DIODE ZENER ARRAY 16V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 16V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 50옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 12V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ12NT106

DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 12V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±8% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 9V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

단위 3000

UMZ12NT106

DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 12V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±8% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 9V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-70, SOT-323 / 공급 장치 패키지 : UMD3

UMZ12KTL

DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD4

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 12V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 9V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-82A, SOT-343 / 공급 장치 패키지 : UMD4

단위 3000

UMZ12KTL

DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD4

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 12V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 9V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-82A, SOT-343 / 공급 장치 패키지 : UMD4

SZNZL7V5AXV3T1G

DIODE ZENER DUAL CA SC-89-3

제조사 : ON Semiconductor / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 7.5V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : / 전력 - 최대 : 240mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 7.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :

STZ6.8TT146

DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3

단위 3000

STZ6.8TT146

DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3

STZ6.8NT146

DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3

단위 3000

STZ6.8NT146

DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3

STZ6.2NT146

DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 60옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 3V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SMD3

단위 3000

STZ6.2NT146

DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 60옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 3V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SMD3

STZ5.6NT146

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 60옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 2.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SMD3

단위 3000

STZ5.6NT146

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3

제조사 : Rohm Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 1쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 60옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 2.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SMD3

SM16Z4689

DIODE ZENER ARRAY 5.1V 16SOIC

제조사 : Microsemi Commercial Components Group / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : HEX-Reg™ / 구성 : 8 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 1.5W / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 10µA @ 3V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SOIC

단위 500

SM16Z4689

DIODE ZENER ARRAY 5.1V 16SOIC

제조사 : Microsemi Commercial Components Group / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : HEX-Reg™ / 구성 : 8 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 1.5W / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 10µA @ 3V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SOIC

QZX363C6V8-7-F

DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 15옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 2µA @ 4V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

단위 3000

QZX363C5V6-7-F

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 2V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

단위 3000

QZX363C5V6-7-F

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 2V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

QZX363C20-7-F

DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 20V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 55옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 14V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

단위 3000

QZX363C20-7-F

DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 20V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 55옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 14V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

QZX363C15-7-F

DIODE ZENER ARRAY 15V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 15V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 10.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

단위 3000

QZX363C12-7-F

DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 공통 양극 2쌍 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 12V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±5% / 전력 - 최대 : 200mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 25옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 100nA @ 8V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -65°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 / 공급 장치 패키지 : SOT-363

단위 3000

PZU9.1DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 9.1V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 9.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 10옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 6V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU8.2DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 8.2V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 8.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 10옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU7.5DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 7.5V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 7.5V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 10옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 4V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU6.8DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 6.8V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.8V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 20옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU6.2DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 6.2V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 6.2V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 500nA @ 3V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU5.6DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 5.6V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 40옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 1µA @ 2.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU5.1DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 5.1V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 5.1V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 60옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 2µA @ 1.5V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU4.7DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 4.7V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 4.7V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 80옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 2µA @ 2V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU4.3DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 4.3V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 4.3V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 90옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 3µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU3.9DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 3.9V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 3.9V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 90옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 3µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU3.6DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 3.6V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 3.6V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 90옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 5µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU3.3DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 3.3V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 3.3V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 95옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 5µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU3.0DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 3V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 3V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 95옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 10µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU24DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 24V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 24V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 30옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 50nA @ 19V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU22DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 22V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 22V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 25옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 50nA @ 17V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU20DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 20V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 20V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 20옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 50nA @ 15V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU2.7DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 2.7V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 2.7V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 100옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 20µA @ 1V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000

PZU18DB2,115

DIODE ZENER ARRAY 18V 5TSSOP

제조사 : NXP Semiconductors / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 구성 : 2 독립형 / 다이오드 구성 : / 다이오드 유형 : / 전압 - 제너(공칭)(Vz) : 18V / 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) : / 허용 오차 : ±2% / 전력 - 최대 : 250mW / 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당 : / 임피던스(최대)(Zzt) : 20옴 / 속도 : / 전류 - 역누설 @ Vr : 50nA @ 13V / 역회복 시간(trr) : / 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ I : 900mV @ 10mA / 작동 온도 : -55°C ~ 150°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 / 공급 장치 패키지 : 5-TSSOP

단위 3000