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상품번호 : 2082827
IC ISOLATED GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5700Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
100kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
18ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
2.25 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2000
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상품번호 : 2082826
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5700Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
100kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2000
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상품번호 : 2082825
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
컷 테이프(CT)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5700Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
100kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082824
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5700Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
100kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082823
IC GATE DVR IGBT 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5700Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
50kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
18ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
2.25 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2000
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상품번호 : 2082822
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
4250Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
50kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2000
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상품번호 : 2082821
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
컷 테이프(CT)
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
4250Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
50kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082820
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC
제조사 :
Texas Instruments
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
4250Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
50kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
110ns, 110ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 3.4A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.7A, 5.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
/ 전류 - DC 순방향(If) :
/ 전압 - 공급 :
3 V ~ 5.5 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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