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상품번호 : 2083238
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083243
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083233
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083223
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082979
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082975
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083267
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083257
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083247
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083228
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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