FET 어레이
 

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상품번호 : 1555291
ZXMP6A18DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 55m옴 @ 3.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 44nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1580pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

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상품번호 : 1555290
ZXMP6A18DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 55m옴 @ 3.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 44nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1580pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 2,372원
(부가세별도)
상품번호 : 1555289
ZXMP6A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 834원
(부가세별도)
상품번호 : 1555288
ZXMP6A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,491원
(부가세별도)
상품번호 : 1555287
ZXMP6A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

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상품번호 : 1555286
ZXMP6A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
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상품번호 : 1555285
ZXMP6A16DN8QTA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

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상품번호 : 1555284
ZXMP6A16DN8QTA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
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상품번호 : 1555283
ZXMP3F37DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25m옴 @ 7.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 31.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1678pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

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상품번호 : 1555282
ZXMP3A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 70m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 630pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

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상품번호 : 1555281
ZXMP3A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 70m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 630pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,833원
(부가세별도)
상품번호 : 1555280
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.2A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 45m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 1,112원
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상품번호 : 1555279
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 P-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.2A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 45m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,989원
(부가세별도)
상품번호 : 1555278
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.8A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 50m옴 @ 3.6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 20.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1063pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 928원
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상품번호 : 1555277
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.8A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 50m옴 @ 3.6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 20.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1063pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,662원
(부가세별도)
상품번호 : 1555276
ZXMN6A11DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 330pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555275
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 330pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 639원
(부가세별도)
상품번호 : 1555274
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 330pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,236원
(부가세별도)
상품번호 : 1555273
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.3A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 40m옴 @ 8.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1407pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555272
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.3A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 40m옴 @ 8.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1407pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 1,491원
(부가세별도)
상품번호 : 1555271
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.3A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 40m옴 @ 8.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1407pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 2,586원
(부가세별도)
상품번호 : 1555270
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28m옴 @ 6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 472pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 625원
(부가세별도)
상품번호 : 1555269
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28m옴 @ 6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 472pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,207원
(부가세별도)
상품번호 : 1555268
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28m옴 @ 6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 472pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
판매가 625원
(부가세별도)
상품번호 : 1555267
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28m옴 @ 6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 472pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
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상품번호 : 1555266
ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 24m옴 @ 7A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 12.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 608pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

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상품번호 : 1555265
ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 24m옴 @ 7A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 12.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 608pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,207원
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상품번호 : 1555264
ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 24m옴 @ 7A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 12.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 608pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
판매가 625원
(부가세별도)
상품번호 : 1555263
ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 24m옴 @ 7A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 12.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 608pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
판매가 1,207원
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상품번호 : 1555262
ZXMN3AMCTA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-WDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-DFN(3x2)

단위 3000

판매가 473원
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상품번호 : 1555261
ZXMN3AMCTA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-WDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-DFN(3x2)
판매가 1,265원
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상품번호 : 1555260
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.13W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP(3x2)

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상품번호 : 1555259
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.13W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP(3x2)
판매가 1,350원
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상품번호 : 1555258
ZXMN3A06N8TA
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : / Rds On(최대) @ Id, Vgs : / Id 기준 Vgs(th)(최대) : / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : / 전력 - 최대 : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

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ZXMN3A06DN8TC
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 35m옴 @ 9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 796pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555256
ZXMN3A06DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 35m옴 @ 9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 796pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 890원
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상품번호 : 1555255
ZXMN3A06DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 4.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 35m옴 @ 9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 796pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,591원
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상품번호 : 1555254
ZXMN3A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 6.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 20m옴 @ 12.6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 36.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1890pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555253
ZXMN3A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 6.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 20m옴 @ 12.6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 36.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1890pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 1,392원
(부가세별도)
상품번호 : 1555252
ZXMN3A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 6.5A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 20m옴 @ 12.6A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 36.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1890pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.81W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 2,415원
(부가세별도)
상품번호 : 1555251
ZXMN2AMCTA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 4A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.1nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 299pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-WDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-DFN(3x2)

단위 3000

판매가 568원
(부가세별도)
상품번호 : 1555250
ZXMN2AMCTA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 4A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.1nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 299pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-WDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-DFN(3x2)
판매가 1,377원
(부가세별도)
상품번호 : 1555249
ZXMN2AM832TA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 4A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.1nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 299pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP(3x2)

단위 3000

판매가 568원
(부가세별도)
상품번호 : 1555248
ZXMN2AM832TA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 4A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.1nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 299pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.7W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP(3x2)
판매가 1,463원
(부가세별도)
상품번호 : 1555247
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25m옴 @ 5.9A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 22.1nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1880pF @ 10V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555246
ZXMN2A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25m옴 @ 5.9A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 22.1nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1880pF @ 10V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 1,541원
(부가세별도)
상품번호 : 1555245
ZXMN2A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 5.9A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25m옴 @ 5.9A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 22.1nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1880pF @ 10V / 전력 - 최대 : 1.8W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 2,671원
(부가세별도)
상품번호 : 1555244
ZXMN2088DE6TA
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 20V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.7A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 200m옴 @ 1A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.8nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 279pF @ 10V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-6

단위 3000

판매가 370원
(부가세별도)
상품번호 : 1555243
ZXMN10A08DN8TC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.6A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 250m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 405pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

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상품번호 : 1555242
ZXMN10A08DN8TA
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.6A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 250m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 405pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 500

판매가 809원
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상품번호 : 1555241
ZXMN10A08DN8TA
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.6A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 250m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 405pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.25W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO
판매가 1,449원
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상품번호 : 1555240
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 4 N 채널(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.6W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8

단위 1000

판매가 1,236원
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상품번호 : 1555239
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 4 N 채널(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.6W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8
판매가 2,586원
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상품번호 : 1555238
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 4 N 채널(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.6W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
판매가 1,236원
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상품번호 : 1555237
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : 4 N 채널(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.4A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.6W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :
판매가 2,586원
(부가세별도)
상품번호 : 1555236
ZXMHC6A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.6A, 1.3A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8

단위 1000

판매가 1,133원
(부가세별도)
상품번호 : 1555235
ZXMHC6A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.6A, 1.3A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 300m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8
판매가 2,372원
(부가세별도)
상품번호 : 1555234
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.39A, 1.28A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 250m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

판매가 596원
(부가세별도)
상품번호 : 1555233
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1.39A, 1.28A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 250m옴 @ 1.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 166pF @ 40V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP
판매가 1,449원
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상품번호 : 1555232
ZXMHC3F381N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.98A, 3.36A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 33m옴 @ 5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 430pF @ 15V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

판매가 1,150원
(부가세별도)
상품번호 : 1555231
ZXMHC3F381N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 3.98A, 3.36A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 33m옴 @ 5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 430pF @ 15V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP
판매가 2,586원
(부가세별도)
상품번호 : 1555230
ZXMHC3A01T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.7A, 2A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8

단위 1000

판매가 1,133원
(부가세별도)
상품번호 : 1555229
ZXMHC3A01T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.7A, 2A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 120m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8
판매가 2,372원
(부가세별도)
상품번호 : 1555228
ZXMHC3A01N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.17A, 1.64A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500

판매가 596원
(부가세별도)
상품번호 : 1555227
ZXMHC3A01N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 논리 레벨 게이트 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 2.17A, 1.64A / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 190pF @ 25V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP
판매가 1,449원
(부가세별도)
상품번호 : 1555226
ZXMHC10A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1A, 800mA / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 700m옴 @ 1.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 138pF @ 60V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8

단위 1000

판매가 1,133원
(부가세별도)
상품번호 : 1555225
ZXMHC10A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 1A, 800mA / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 700m옴 @ 1.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 138pF @ 60V / 전력 - 최대 : 1.3W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-223-8 / 공급 장치 패키지 : SM8
판매가 2,372원
(부가세별도)
상품번호 : 1555224
ZXMHC10A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지) / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25 : 800mA, 680mA / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 700m옴 @ 1.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 138pF @ 60V / 전력 - 최대 : 870mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOP

단위 2500